钨铜合金在具有高密度、高强度和良好的耐电弧烧蚀性能，又具有优良的导电导热性能，并广泛用于电触点，电极和热沉电子封装材料中。与用于电加工的钨铜合金电极、电触头等与用于电子封装材料的钨铜材料具有不同的性能要求。作为电子封装材料，钨铜不仅要具有高的热导率，以确保相关设备运行的稳定性，还要求其具有极高的气密性，任何一点的气孔和漏气就会导致微波元件的工作故障。早在80年代，钨铜就被选作电子封装材料，由于其热膨胀系数接近一些陶瓷热膨胀系数，因此两者不仅能保证钎焊后的热匹配，还能形成良好的导热通道。

从理论上讲，钨和铜是两种物理和化学性质不同的金属。 它们的熔点相差高达2000°C，它们不能溶解或形成化合物。 只能通过粉末冶金制造工艺。 最好的工艺方法是浸渗法，其是将钨粉压成一定密度的坯块，在高温下烧结并收缩，形成一定密度的钨骨架，然后在高于铜熔点的温度下将铜液浸入钨骨架中。 由于钨粉的高硬度和较差的可塑性，采用普通渗透法制备的钨铜合金会有一定的孔隙，相对密度只能达到60％左右。 高温下的烧结致密化还会产生一定的闭孔隙，在渗铜过程中无法完全填充钨骨架，从而降低了产品的气密性。 为了降低孔隙率，有必要改善相关的工艺参数以满足气密性的要求。

仅依靠提高温度来使钨坯收缩以增加其密度，就难以做到精确控制，从而导致热匹配误差，这也是常规渗透气密性的最大影响因素。 一些研究人员试图将一定的活化剂添加到超细钨粉中，例如镍，钴，铁等，然后与铜粉混合。 经过压制成型和活化烧结后，钨铜坯的相对密度可以达到98％以上，能够很好地解决钨铜电子封装材料的气密性问题。 但是，添加的活化剂中的镍，钴，铁等元素会溶解在钨相和铜相中，且铁是磁性的，而铜含量的变化会直接影响材料的电导率和导热率，这样也不适合用于电子封装行业。 因此，研究人员在此基础上优化了工艺。 将少量的铜粉混入钨粉中。 这部分铜粉可以有效地保留生坯的连通孔。 当在高温高压下进行渗透时，铜液可以有效充分地填充钨骨架。